航空学报 > 2007, Vol. 28 Issue (增): 174-177

工艺条件的改变对用大气开放式MOCVD方法制备TiO2薄膜的影响

李丽娜,谷景华,张跃   

  1. 北京航空航天大学 材料科学与工程学院
  • 收稿日期:2006-10-25 修回日期:2007-01-16 出版日期:2007-08-10 发布日期:2007-08-10
  • 通讯作者: 张跃

Effects of Different Conditions on the Growth of TiO2 Thin Films Prepared by AP-MOCVD

LI;Li-na,GU;Jing-hua,ZHANG;Yue   

  1. School of Materials Science and Engineering, Beijing University of Aeronautics and Astronautics
  • Received:2006-10-25 Revised:2007-01-16 Online:2007-08-10 Published:2007-08-10
  • Contact: ZHANG Yue

摘要:

采用大气开放式金属有机化合物化学气相沉积方法(AP-MOCVD),以四异丙醇钛(TTIP)为原料,改变反应物气化温度、沉积温度、基片与喷嘴的距离、载气流速4种工艺条件在玻璃基片上制备TiO2薄膜。实验结果表明沉积温度主要影响薄膜的物相结构,当沉积温度在300 ℃时沉积物是无定形的;沉积温度为350 ℃和400 ℃时,薄膜由单一的锐钛矿相构成;沉积温度在450 ℃时出现了少量金红石;继续升高沉积温度金红石的量逐渐增加。气化温度、基片与喷嘴的距离、载气流速这3个工艺条件主要影响薄膜的形貌和沉积难易程度。基片类型对薄膜沉积没有影响。

关键词: MOCVD, TiO2, 基片温度

Abstract:

TiO2  thin films were prepared on the glass substrate by air opened metal organic chemical vapor deposition(AP-MOCVD)with TTIP as the metal organic source.The main conditions of experiment,i.e.vaporizing temperature,substrate temperature,distance between substrate and nozzle and the N2  flow rate,were varied.

Key words: MOCVD, TiO2, substrate , temperature

中图分类号: